存储设备职业深度陈述最具爆发力的12家公司

  曩昔两年，大模型迭代和生成式AI热潮席卷全球商场，直接把高带宽内存（HBM）、动态随机存储器（DRAM）和闪存（NAND）推到工业链C位。Transformer架构自谷歌2017年创始至今，练习参数呈指数级增加，单模型参数量从百亿直奔万亿级，内存带宽和容量需求随之暴升。依据陈述，2024年全球存储商场约1700亿美元，DRAM占970亿美元，HBM达174亿美元，2030年HBM商场规模有望增加到980亿美元，年均复合增加高达33%。这场算力革新正深入重塑上游设备厂和下流芯片巨子的商场格式。

  AI大模型遍及，让“内存墙”成为工业焦点。以OpenAI GPT-3为例，权重参数体量高达350GB，远超单颗A100 GPU的80GB HBM容量，单卡已不足以满意推理和练习所需，一定要通过多卡集群扩容，驱动GPU与高带宽内存同步晋级。KV缓存、模型权重、外部语义存储均在争抢高功能DRAM/HBM资源，带宽瓶颈直接影响AI落地速度。2024年，英伟达Rubin Ultra产品线TB/s，推进芯片与内存协同开展。

  AI、数据中心、智能轿车三大使用场景继续扩容，直接拉动DRAM/HBM需求。陈述测算，2024年DRAM商场我国占比已达26%，NAND到达33%，而我国本乡龙头长鑫存储和长江存储的市占率仍别离仅为5%和9%，后续扩产潜力巨大。同期，DRAM/NAND干流产品价格自2025年年中起遍及翻倍上涨，DDR5最高涨幅超10倍，表现了算力紧缺和供需矛盾。

  全球DRAM商场仍由三星、SK海力士和美光三巨子把控，2025年SK海力士比例到达38%，三星32%，长鑫存储5%。HBM范畴SK海力士名列前茅，市占率高达64%。NAND商场三星比例32%，SK海力士增速显着，长江存储收入比例迫临10%。从产能出资看，2024年三星投入近250亿美元，SK海力士次之，美光安稳扩产，长鑫存储和长江存储本钱开支也已接连提高，标明国产化追逐加快。

  技术上，DRAM制程迭代至D1b节点，三星在位密度、工艺等中心参数上坚持抢先，SK海力士和美光各有特色。长鑫存储最新G4产品在特征尺度、工艺资料等方面已与世界厂商逐渐接轨，但位密度等中心目标仍有提高空间。NAND赛道则以层数和堆叠高度为打破口，长江存储依托自研Xtacking架构，层数已打破260L，位密度和混合键合工艺也快速追逐世界抢先水平。到2035年，3D NAND堆叠层数有望超越2000层，外围电路继续向高k金属栅与多键合结构演进，密度和功能同步提高。

  面临高端设备“卡脖子”压力，我国本乡设备厂商活跃布局，助力存储工业链补短板。陈述中具体梳理了三大类国产半导体设备企业：

  以北方华创、中微公司、拓荆科技为代表的专用设备龙头，聚集刻蚀、薄膜、热处理、离子注入等中心工艺，2025年上半年北方华创刻蚀设备收入超50亿元，薄膜设备收入超65亿元。

  微导纳米、迈为股份等从光伏跨界切入半导体设备，聚集ALD、CVD等要害工艺，微导纳米ALD设备已掩盖干流薄膜资料，迈为股份专心刻蚀和薄膜堆积配备国产代替。

  长川科技、华峰测控、精智达等后道测验设备公司，则与长电科技、华天科技、通富微电等干流晶圆厂深度绑定。长川科技测验机已在多家一流集成电路厂商批量使用，华峰测控新一代测验渠道STS8600翻开SoC测验新赛道，精智达则在DRAM老化测验设备范畴继续放量。

  测验及封装设备：长川科技、精智达、华峰测控、金海通、精测电子、中科飞测、矽电股份

  中心存储芯片企业：长鑫存储（CXMT）、长江存储（YMTC）、三星电子、SK海力士、美光