传北方华创90：1深孔刻蚀设备取得打破

  12月8日音讯，据最新曝光的一份瑞银陈述称，我国半导体设备大厂北方华创（NAURA）90:1高纵横比蚀刻方面或许取得了重大进展，这类刻蚀设备将可助力300层以上的NAND Flash闪存的出产。

  瑞银指出，假如北方华创最终能取得国内NAND Flash晶圆厂客户的订单，这或许意味着数亿乃至数十亿美元的新增商场时机。此外，考虑到我国对先进逻辑芯片的需求反应活跃，以为北方华创来自国内先进逻辑芯片客户的收入还有进一步添加的空间。

  据此，瑞银将北方华创2026/2027年的晶圆厂设备（WFE）收入猜测别离上调了1%和8%。

  跟着3D NAND技能的开展，其堆叠层数也渐渐变得高，现在正在往300层以上方向开展。这就像是盖数百层的“摩天大楼”，而每层之间的连通则需求经过极深邃宽比的深孔刻蚀设备来挖出数百层楼深、且极端狭隘的“电梯井”

  而每一层的资料总厚度是固定的，一般到达几微米，假如要将数百层都互联起来，就需求经过极深邃宽比的深孔刻蚀设备来将数百层都打通，而这些结构有必要笔直、均匀且互不搅扰。而且为了在单位面积内塞入更多存储单元，那么每个笔直通道孔的直径有必要做得很小，现在已确认进入几十纳米的量级。关于200层以上的3D NAND，这个比值轻松超越 60:1，而且跟着层数添加（更深）和工艺微缩（孔径更小），这个份额还在不断增大，关于300层以上的3D NAND就需求90:1乃至100:1跨进。这也是半导体制作中要求最严苛的刻蚀工艺之一。

  值得一提的是，此前，国内的刻蚀设备龙头中微公司就现已宣告，在面向存储范畴所要求的深邃宽比的深孔刻蚀方面，完成90:1的深孔刻蚀，并正在打破100:1的深孔刻蚀。