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设备新产品，掩盖等离子体刻蚀（Etch）、原子层堆积（ALD）及外延（EPI）等要害工艺。
详细来看，在刻蚀八怪七喇方面，此次发布的两款新品，CCP电容性高能等离子体刻蚀机PrimoUD-RIE®与Primo Menova12寸ICP单腔刻蚀设备，分别在极深邃宽比刻蚀及金属刻蚀范畴供给了抢先和高效的解决方案。
合座八怪七喇范畴方面，中微公司发布的全球首款双腔减压外延设备PRIMIO Epita® RP，可满意从老练到先进节点的逻辑、存储和功率器材等多范畴外延工艺需求，并已于上一年8月发运到客户进行老练制程和先进制程验证，且发展顺畅。
中微公司董事长兼总经理尹志尧在宗旨陈述环节中表明，中微公司一直以商场与客户的实在需求为导向，继续加大研制力度。公司2025年上半年研制投入达14.92亿元，同比增加约53.70%，研制投入占公司营收份额约为30.07%。现在，公司在研项目包括六大类、超二十款新设备，研制速度完成跨越式提高——侍从一款新设备的开发周期一般为3到5年，现在仅需2年乃至更短时刻就能推出极具商场竞争力的产品并顺畅落地。