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体设备(上海)股份有限公司宣告经过不断的进步反响台之间气体操控的精度,ICP双反响台刻蚀机Primo Twin-Star®又获得新的打破,反响台之间的刻蚀精度已达到0.2A(亚埃级)。这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上,均得到了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一,是人类头发丝均匀直径100微米的500万分之一。这是等离子体刻蚀技术领域的又一次立异打破。
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