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MEMS代工--刻蚀是依照掩模图形或规划的基本要求对半导体衬底外表或外表掩盖薄膜进行选择性刻蚀的技能，它是半导体制作工艺，微电子IC制作工艺以及微纳制作工艺中的一种很重要的过程。是与光刻相联系的图形化处理的一种首要工艺。刻蚀分为干法刻蚀和湿法腐蚀。原位芯片现在把握多种刻蚀工艺，并会依照每个客户的需求，规划刻蚀作用好且性能好价格低的刻蚀解决方案。
刻蚀技能首要运用在于半导体器材，集成电路制作，薄膜电路，印刷电路和其他微细图形的加工等。
深硅刻蚀（DRIE）：大多数都用在硅资料的高速，深度，大深宽比刻蚀。适用于8寸及以下晶圆，深宽比50：1
电感耦合（ICP）等离子刻蚀：GaN、GaAs、InP Ⅲ-Ⅴ族化合物资料刻蚀