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9 月 5 日音讯，中微半导体设备（上海）股份有限公司（简称 “中微公司”）在
中微公司此次的重磅新品之一，是新一代极深邃宽比等离子体刻蚀设备 ——CCP 电容性高能等离子体刻蚀机 Primo UD-RIE
该机台根据老练的 Primo HD-RIE 规划架构全面晋级，搭载六个单反响台反响腔；装备更低频率、更大功率的射频偏压电源，能供给更高离子轰击能量，精准满意极深邃宽比刻蚀对精度与出产功率的苛刻要求。
Primo UD-RIE 刻蚀机还融入多项自研立异技能：包含动态边际阻抗调理体系、上电极多区温控体系、温度可切换多区控温静电吸盘、自动控温边际组件，经过细节优化大幅改善晶圆边际刻蚀良率，处理传统刻蚀中 “边际效应” 导致的良率损耗问题。
刻蚀范畴另一款新品 ——Primo Menova 12 英寸 ICP 单腔刻蚀设备同步露脸。该机台专心于金属刻蚀（特别铝线铝块刻蚀）场景，适配规模广泛，可用于功率半导体、存储器材及先进逻辑芯片的制作流程。
在原子层堆积（ALD）范畴，中微公司推出三款不同版别的 12 英寸设备 ——Preforma Uniflash 金属栅，分为 TiN、TiAl、TaN 三个技能分支，能精准匹配先进逻辑芯片与先进存储器材在金属栅工艺上的差异化需求。
Preforma Uniflash 系列的中心长处是首创双反响台规划：体系可灵敏装备多达五个双反响台反响腔，经过并行处理提高单位时刻产能，完成业界抢先的出产功率，下降客户单位制作本钱。
外延（EPI）工艺方面，中微公司带来全球首款双腔减压外延设备 PRIMIO Epita RP。该机台具有全球最小体积的反响腔，且可灵敏扩展至 6 个反响腔；更小的腔体积能削减消耗品用量，一起提高出产功率，从 “降本” 与 “提效” 双维度赋能客户。
亿配芯城（ICgoodFind）注重中微公司等本乡半导体设备厂商的技能打破。依托与产业链上下游的协作，咱们可帮忙客户对接刻蚀、ALD、外延设备的配套器材需求，为半导体制作环节的高效出产供给支撑，助力保证供应链安稳与自主可控。#中微公司# #国产半导体设备##半导体刻蚀设备# #ALD 原子层堆积# #外延设备#
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