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ICP刻蚀加快增加。2025H1，公司ICP刻蚀设备已在逻辑、DRAM、3D NAND等范畴超50家客户产线完成大规模量产，一起继续推动更多ICP刻蚀工艺验证，到陈述期末，设备累计装机反响台超1200台。2025H1等离子体刻蚀设备新签订单中，ICP设备的占比略高于CCP设备的占比，ICP快速起量。新产品方面，PrimoMenova™12寸ICP单腔刻蚀设备聚集金属刻蚀范畴，拿手Al线、Al块刻蚀，适配功率半导体、存储器材及先进逻辑芯片制作，是晶圆厂金属化工艺中心设备。该设备刻蚀均一性优异，兼具高速率、高挑选比、低介质损害特性；搭载高效腔体清洁工艺，可削减污染、延伸运转时长；集成高温水蒸气除胶腔室，能高效铲除刻蚀后晶圆外表的光刻胶及副产物；主刻蚀与除胶腔体支撑灵敏组合，可满意高出产功率需求，保证高负荷工况下的稳定性与良率。公司紧跟客户与商场技能需求，稳步推动先进ICP刻蚀研制技能，以满意新一代逻辑、DRAM及3D NAND存储芯片的制作需求。
刻蚀获益于存储扩产。在存储芯片制作环节，公司的等离子体刻蚀设备已很多用于先进三维闪存和动态随机存储器材的量产。公司致力于供给超深邃宽比掩膜（≥40:1）ICP刻蚀设备和超深邃宽比介质刻蚀(≥60:1)CCP刻蚀设备的解决方案。装备超低频偏压射频的用于超深邃宽比掩膜刻蚀的ICP刻蚀机现在已经在出产线上大规模使用，工艺才能可以彻底满意国内最先进的存储芯片制作的需求。装备超低频高功率偏压射频的用于超深邃宽比介质刻蚀的CCP刻蚀设备也在最要害的超深邃宽比刻蚀工艺大规模出产，并逐渐拓宽使用。2025年前三季度，公司针对先进逻辑和存储器材制作中要害刻蚀工艺的高端产品新增付运量显着提高，先进逻辑器材中段要害刻蚀工艺和先进存储器材的超深邃宽比刻蚀工艺完成大规模量产。
下流客户扩产没有抵达预期的危险，职工股权鼓励带来的公司管理危险，政府支撑与税收优惠方针改变的危险，供应链危险，职业方针改变危险，国际贸易冲突加重危险，研制投入缺乏导致技能被赶超或代替的危险。